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10167 articles disponibles

Affichage 21 articles: HT4949A à IC-S-16P (Page 163 sur 485)

Circuit intégré HT4949A

HT4949A
56.45€ TTC
1 En stock
1 En stock

Circuit intégré HT4949A. COLOR HYBRID HITACHI VT-M747. IC301. Constructeur: HITACHI.

 
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Circuit intégré HT7224E

HT7224E
63.62€ TTC
1 En stock
1 En stock

Circuit intégré HT7224E. VCR Y-HYBRID HITACHI:1372735. VT-M598. Constructeur: HITACHI.

 
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Transistor HT772-P

HT772-P
1.51€ TTC
102 En stock
102 En stock

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 30V. Courant collecteur maxi: 3A. Boîtier: TO-126. Gain Hfe: 160-320 Tension collecteur/base maxi: 40 V

 
 
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Transistor HUF75307D3

HUF75307D3
2.91€ TTC
51 En stock
51 En stock

Transistor HUF75307D3 N-MOS 55V 15A 45W 0.075R. UltraFET Power MOSFET. Constructeur: FAIRCHILD. Boîtier: TO-251AA(I-Pak). Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 15 A. Rds (Ohms): 0.075. Puissance: 45 W

 
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Tarifs dégressifs

Transistor HUF75307D3S

HUF75307D3S
3.25€ TTC
108 En stock
108 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 55V. Courant de Drain maxi: 13A. Puissance: 35W. Rds: 0.09 Ohm. UltraFET Power MOSFET. Boîtier: TO-252AA (D-Pak).

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor HUF75344G3

HUF75344G3
9.97€ TTC
30 En stock
30 En stock

Transistor HUF75344G3 N-MOS 55V 75A 285W 0.065R. UltraFET Power MOSFET. Constructeur: FAIRCHILD. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 75 A. Rds (Ohms): 0.065. Puissance: 285 W

 
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Tarifs dégressifs

Transistor HUF75344P3

HUF75344P3
12.54€ TTC
69 En stock
69 En stock

Transistor HUF75344P3 N-MOS 55V 75A 285W 0.065R. UltraFET Power MOSFET. Constructeur: FAIRCHILD. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 75 A. Rds (Ohms): 0.065. Puissance: 285 W

 
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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N HUF75645P3

HUF75645P3
9.80€ TTC
48 En stock
48 En stock

Transistor MOSFET canal-N 100V 75A/430Ap 310W. Résistance passante RDSon : 0.0115 Ohms (65A)

 
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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N HUF75645S3S

HUF75645S3S
9.18€ TTC
637 En stock
637 En stock

Transistor MOSFET canal-N 100V 75A/430Ap 310W. Résistance passante RDSon : 0.0115 Ohms (65A)

 
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Tarifs dégressifs

Transistor HUF76121D3S

HUF76121D3S
5.10€ TTC
95 En stock
95 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 20A. Puissance: 75W. Rds: 0.017 Ohm. UltraFET Power MOSFET. Logic Level. Boîtier: TO-252AA (D-Pak).

 
 
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Tarifs dégressifs

Circuit intégré HV17H

HV17H
45.19€ TTC
5 En stock
5 En stock

Circuit intégré HV17H. HYBRID. Boîtier: 10p. MONITOR 17GLSI. CMH7379. SAMSUNG. Constructeur: SAMSUNG.

 
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Tarifs dégressifs

Circuit intégré HV2

HV2
32.87€ TTC
6 En stock
6 En stock

Circuit intégré HV2. HYBRID. Boîtier: 8p. MONITOR CQA4147. SAMSUNG. HISO185A. Constructeur: SAMSUNG.

 
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Tarifs dégressifs

Circuit intégré HYBRAM-550A

HYBRAM-550A
46.03€ TTC
7 En stock
7 En stock

Circuit intégré HYBRAM-550A. HYBRID IC. BLAUPUNKT 550A. BLAUPUNKT. Constructeur: SAMSUNG.

 
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Circuit intégré HYBRAM-551

HYBRAM-551
52.58€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Circuit intégré HYBRAM-551. HYBRID IC. BLAUPUNKT 551. W1010. Boîtier: DIP-40. Constructeur: SAMSUNG.

 
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Circuit intégré HYBRAM-552

HYBRAM-552
42.45€ TTC
9 En stock
9 En stock

Circuit intégré HYBRAM-552. HYBRID IC. BLAUPUNKT 552. Boîtier: 16p. Constructeur: SAMSUNG.

 
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Circuit intégré HYBRID-4208V026

HYBRID-4208V026
48.78€ TTC
4 En stock
4 En stock

Circuit intégré HYBRID-4208V026. Y-C MODUL FISHER 4208V02600. AN6163AS. MN6367S. Constructeur: SAMSUNG.

 
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Circuit intégré HYBRID-C101X4

HYBRID-C101X4
5.15€ TTC
3 En stock
3 En stock

Circuit intégré HYBRID-C101X4. HIBRYD 4x100pF 2503-000156. 4X100pF. C101X4. Constructeur: SAMSUNG.

 
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Circuit intégré HYBRID-HYB-1

HYBRID-HYB-1
16.18€ TTC
15 En stock
15 En stock

Circuit intégré HYBRID-HYB-1. HIBRYD SAMSUNG IC-ASIC. Boîtier: 15p. DA9521. Constructeur: SAMSUNG. GA13-10070A

 
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Circuit intégré HYBRID-KP-SLC01

HYBRID-KP-SLC01
12.49€ TTC
7 En stock
7 En stock

Circuit intégré HYBRID-KP-SLC01. HIBRYD SAMSUNG IC-ASIC. Boîtier: 10p. 49GI. GA13-10084A. Constructeur: SAMSUNG.

 
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Circuit intégré HYBRID-Y05

HYBRID-Y05
73.86€ TTC
1 En stock
1 En stock

Circuit intégré HYBRID-Y05. HIBRYD SANYO IC AN3231K. 409 141 700

 
 
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Support de circuit IC-S-16P

IC-S-16P
1.85€ TTC
67 En stock
67 En stock

Support de circuit. 16P

 
 
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